PENGENALAN |
Lapisan Silikon Dioksida, SiO2 memainkan peranan penting dalam operasi dan proses fabrikasi sesuatu peranti semikonduktor. Silikon Dioksida merupakan bahan penebat yang digunakan sebagai pemisah atau pengasing di antara komponen-komponen di dalam litar bersepadu, pemisah antara 2 lapisan logam penyambungan dan sebagai pempasif atau pelindung simpangan p-n serta pada tahap akhir pemprosesan peranti semikonduktor.
Selain itu, Silikon Dioksida juga digunakan sebagai bahan dielektrik dan sebagai get transistor MOS. Dalam proses fabrikasi, lapisan SiO digunakan sebagai topeng terhadap atom-atom dopan semasa proses resapan dilakukan untuk membolahkan hanya kawasan tertentu sahaja terdedah kepada sumber dopan. Silikon yang terdedah keapada udara sekitaran pada suhu bilik akan bertindak dengan oksigen dan membentuk lapisan nipis Silikon Dioksida. Lapisan oksida ini disebut sebagai oksida asli (native oxide).
Sifat-sifat fizik SiO2 pada suhu bilik adalah seperti dalam Jadual 1 di bawah.
| Berat molekul | 60.08 |
| Ketumpatan | 2.27 g.cm |
| Keberintangan | 10 ohm.cm |
| Pemalar dielektrik | 3.9 |
| Kekuatan dielektrik | 60 X 10 V/ mm |
| Takat lebur | 1 700 °C |
| Jurang tenaga, Eg | 8eV |
| Indeks bias, n | 1.45 |
![]()