PROSES PENGOKSIDAAN TERMA

Proses menghasilkan lapisan oksida mudah dilakukan dengan memanaskan wafer silikon di dalam kebuk atau relau yang beroksigen dan mengandungi wafer pada suhu 900°-1400°C. Ketebalan lapisan oksida yang terbentuk bergantung pada suhu relau, masa dan kadar pengaliran oksigen. oleh itu suhu relau perlu dikawal rapi supaya perubahan suhu tidak melebihi ± 0.5°C. Terdapat 2 cara untuk melakukan pengoksidaan ini yang dinamakan pengoksidaan basah dan pengoksidaan kering.

Pengoksidaan Basah

Pengoksidaan yang dilakukan dalam keadaan lembap. Suhu pengoksidaan adalah di sekitar 1000°C. Pengoksidaan jenis ini dapat menumbuhkan lapisan oksida dengan cepat, tetapi kualiti oksida yang diperohi adalah kurang baik kerana mempunyai nilai kejatuhan voltan yang rendah.

Kadar Pengoksidaan ini boleh dipertingkatkan dengan menambahkan wap air ke dalam relau pengoksidaan. Tindak balas kimia dengan wap air ialah,

Selain daripada wap air, kadar pengoksidaan juga boleh dipertingkatkan dengan melalukan oksigen bersama amonia. Tindak balas oksigen dengan amonia menghasilkan wap air dan seterusnya menghasilkan Silikon Dioksida.

Semasa proses pengoksidaan ini, wap air boleh ditambah dengan meniupkan gas oksigen ke dalam air pada suhu 100 °C seperti Rajah 1. Kadar pengoksidaan bertambah pada tekanan yang lebih tinggi.

Rajah 1 : Penghasilan wap air untuk pengoksidaan basah