Pengoksidaan Kering

Pada peringkat pengoksidaan kering ini lapisan oksida boleh ditumbuhkan sekiranya wafer silikon dipanaskan dalam relau yang mengandungi gas oksigen tulen pada suhu 900 °C. Penumbuhan oksida jenis ini adalah perlahan tetapi mempunyai kualiti oksida yang baik.

Proses relau pengoksidaan kering dengan gas ammonia dapat mempercepatkan proses pengoksidaan (Rajah 2). Relau pengoksidaan dibina daripada tiub kuarza yang dipanaskan dengan pemanas elektrik, wafer diletakkan secara menegak paad bot kuarza seperti Rajah 3.

Rajah 2 : Sistem pengoksidaan terma

Rajah 3 : Susunan wafer pada bot