Peringkat Pengoksidaan Terma

Suhu relau adalah tidak sekata sepanjang tiub, iaitu suhu pada bahagian tengah adalah lebih tinggi daripada bahagian mulut dan hujung tiub. Pada bahagian tengah relau terdapat zon rata dan bot yang mengandungi wafer-wafer hendaklah di tempat dalam zon rata semasa pengoksidaan supaya kesemuanya pada suhu yang sama. Pengoksidaan yang sekata pada permukaan wafer boleh dilakukan dengan aliran gas mestilah pada kadar yang sesuai. Kadar aliran gas oksigen adalah bergantung pada garis pusat tiub. Ketebalan oksida yang sekata adalah lebih di antara 1.3 hingga 2 liter / minit. Semakin besar garis pusat tiub, maka semakin besar kadar aliran yang diperlukan.

Cara yang biasanya diamalkan untuk memasuk dan mengeluarkan bot yang mengandungi wafer daripada zon rata tiub pengoksidaan ialah dengan seluruh tiub mempunyai dalam sekitar gas lengai seperti argon atau nitrogen. Pada keadaan suhu tinggi (± 1000 °C) sebarang bendasing pada permukaan akan meruap meninggalkan permukaan silikon yang bersih. Pada suhu tinggi, kecerunan suhu pada wafer boleh mengakibatkan ketegasan terma yang menyebabkan wafer meleding dan boleh mengalihkan kehabluran. Keadaan akan lebih nyata bagi saiz wafer dimasukkan dan dikeluarkan daripada kawasan panas dengan perlahan.

Kadar pertumbuhan sebenar lapisan Silion Dioksida pada silikon dengan proses pengoksidaan kering ditunjukkan pada Rajah 4.Kadar pertumbuhan lapisan oksida dengan proses pengoksidaan basah ditunjukkan pada Rajah 5.

Rajah 4 :Ketebalan lapisan oksida terhadap
perubahan masa, bagi pengoksidaan kering.

Rajah 5 :Ketebalan lapisan oksida terhadap
perubahan masa, bagi pengoksidaan basah.