SIFAT SILIKON OKSIDA SEBAGAI TOPENG

Kadar resapan bagi dopan boron dan fosforus di dalam silikon dioksida adalah di antara dua hingga empat kali lebih rendah daripada kadar resapan di dalam silikon. Oleh itu, lapisan Silikon Dioksida digunakan untuk menahan atau menopeng resapan dopan pada tempat-tempat yang tidak diperlukan pada permukaan silikon.

Untuk menghasilkan topeng yang berkesan, ketebalan lapisan oksida mesti cukup untuk menghalang dopan daripadameresap masuk ke lapisan silikon. Tebal minimum lapisan oksida yang digunakan sebagai topeng kepada dopan yang digunakan dalam proses resapan bergantung pada dopan berkenaan dan parameter resapan iaitu masa dan suhu. Bagi fosforus dan boron tebal minimum pada suhu dan masa resapan ditunjukkan pada Rajah 7.

Rajah 7 :Tebal minimum lapisan oksida untuk menopeng resapan
boron dan fosforus pada masa dan suhu tertentu

Dalam proses ini hanya boron dan fosforus sahaja yang meresap perlahan di dalam Silikon Dioksida, bendasing yang seperti galium, indium dan aluminium meresap 400 hingga 700 kali lebih laju.