TOPENG PENGOKSIDAAN SILIKON NITRID

Dalam proses pengoksidaan ini, permukaan silikon yang terdedah kepada pengoksidaan sahaja boleh dilakukan penopengan, bergantung kepada kawasan tertentu. Di mana bahan yang digunakan sebagai topeng semasa proses pengoksidaan ialah silikon nitrid (Si₃N₄). Pengoksidaan pada kawasan tertentu merupakan suatu teknik yang digunakan dalam teknologi MOS. Semasa pengoksidaan, antaramuka silikon dan Silikon Dioksida bergerak ke bawah daripada permukaan asal silikon. Pada pinggir oksida, iaitu sempadan lapisan Si₃N₄, pertumbuhan oksida tidak secara mendadak tetapi mengambil bahagian silikon di bawah lapisan Silikon Nitrid, seperti Rajah 8. Kawasan oksida dipinggir menyerupai paruh burung dan fenomena ini disebut fenomena paruh burung.

Rajah 8 : Pembentukan paruh burung pada sempadan topeng Si₃N₄