Atom fosforus, arsenik dan antimoni mempunyai kereaktifan yang kurang dengan oksida atau koefisen segregasi, m>1, dan ini menyebabkan berlakunya penimbunan dopan sepanjang antaramuka. Kecenderungan bendasing ini berkumpul di permukaan dikenali dengan kesan penimbunan salji. Kesan ini mengakibatkan gangguan kekonduksian pada permukaan. atom galium pula meresap dengan laju di dalam silikon.

Rajah 10 : Kesan pengaturan semula taburan kepekatan dopan pada antaramuka Siliko Dioksida dan silikon.

Proses resapan biasanya akan diikuti dengan pertumbuhan lapisan oksida. lapisan oksida ini memberikan kesan terhadap taburan atom bendasing di dalam wafer terutamanya yang berhampiran dengan antaramuka.

Dopan seperti aluminium mempunyai keafinan yang tinggi dengan Silikon Dioksida berbanding dengan silikon. Oleh itu, semasa pertumbuhan oksida, kepekatan aluminium yang berhampiran dengan permukaan berkurangan kerana atom aluminium berpindah dari lapisan silikon kepada lapisan Silikon Dioksida.