Cas Antaramuka

Lapisan oksida yang ditumbuhkan secara terma wujud cas tetap positif pada antaramuka. Terdapat 4 jenis cas yang wujud pada lapisan oksida dan antaramuka iaitu, ion natrium, Na⁺ , cas terperangkap, Q_ot , cas antaramuka, Q_it dan cas tetap, Q_f , seperti pada Rajah 11. Ion natrium merupakan jangkitan yang biasanya terjadi semasa pengoksidaan dan semasa pemprosesan wafer. Langkah pemprosesasan yang teliti dan betul dapat mengurangkan jangkitan ini. Cas terperangkap pula disebabkan oleh ketaksempurnaan pembentukan lapisan oksida, manakala cas antaramuka disebabkan oleh kekisi hablur semikonduktor pada permukaan. Cas tetap yang bertempat di lapisan peralihan antara Silikon Dioksida dan silikon terjadi semasa proses pengoksidaan di mana atom silikondipermukaan keluar dan bertindak dengan oksigen. apabila proses pengoksidaan diberhentikan, terdapat ion silikon yang tertinggal pada antaramuka dan memberikan cas positif dekat antaramuka. Ketumpatan cas ini ialah antara 10¹⁰ / cm² hingga 10¹² / cm² .

Rajah 11 : Cas-cas antaramuka Silikon Dioksida dan silikon